目前，常见的陶瓷基板材料主要包括氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）、氧化铍（BeO）和氮化硅（Si3N4）。
不同陶瓷材料性能对比如下：
Al2O3 陶瓷具有产量高、成本低、性能良好等优点，被广泛应用在各类电子产品中；目前，被视为性价比最高的陶瓷材料；但其综合性能没有氮化铝和氧化铍材料好，在电子产品小型化、高频、大功率的发展背景下，氧化铝陶瓷终将被替代。AlN材料热导率是氧化铝材料的4~7 倍，具有机械强度高、耐蚀性好等优点，所以被认为是最具发展前途的高导热陶瓷材料。但是，该材料目前制备难度较大，不能大批量生产，限制了其在封装领域应用。在解决制造瓶颈后将会迅速占领市场。SiC陶瓷的单晶碳化硅在室温下具有很高热导率，但SiC多晶体热导率很低。此外，SiC陶瓷介电常数是AlN陶瓷的4倍，不能应用在高频环境。总之，SiC 性能一般，现有研究者发现在其中掺杂可大幅提高基板性能，还有待更深入的研究。BeO陶瓷有很好的热导率、机械强度和介电常数，综合性能良好。但BeO 生产过程温度高达1900℃，成本高，且制备过程会产生有毒的Be(OH)2 气体，对人体危害极高，这些缺点限制了其在电子封装方面的应用。目前，主要应用在军工核能等领域。Si3N4 耐磨性好，抗弯强度大，热膨胀系数小，是综合机械性能最优的陶瓷材料，但其制备成本高，工艺复杂，散热性存在不足，常用于对强度要求高但散热要求低的场合。
